传由于良率等因素，三星1c DRAM开发延后半年

　　三星电子原计划在2024年底完成10纳米级第六代1c DRAM的开发并进入量产阶段，但据传闻，由于良率未达预期标准，开发目标时间已推迟至2025年6月。

　　
这一消息尚未得到三星官方的确认，但韩国业界人士指出，若1c DRAM开发未能如期完成，原定2025年下半年量产的第六代高带宽存储器（HBM4）也可能受到影响。

　　
据悉，三星在2024年下半年首次制作出“良品晶粒”，但良率一直未能达到预期标准。通常，为了进入量产阶段，开发时期的良率需达到60~70%。

　　
三星原本设定的目标是在2024年12月将1c DRAM良率提升至70%，但现在这一目标已延期至2025年6月。

　　
业界认为，三星1c DRAM的开发进度落后可能会使其在HBM竞争中处于不利地位。相比之下，SK海力士已于2024年8月宣布完成1c DRAM开发，并可能最快在2025年2月量产。

　　
美光则计划于2025年4月达成开发目标。若三星在2025年6月才完成开发，将成为全球三大存储器业中最晚的一家。

　　
目前，三星正在修正部分1c DRAM的设计，并计划于2025年上半年全力推进DRAM开发，尽快提升良率。而竞争对手SK海力士则可能采取稳扎稳打策略，在HBM4中采用1b DRAM。