存储器市场价格回落，HBM成DRAM大厂竞争关键

　　2024年下半年，存储器现货市场价格走低，农历年前终端市场需求疲软。近期，存储器市场进入休整阶段，整体需求平淡。

　　DDR5价格虽有微涨，但DDR4和NAND Wafer现货价小幅下滑1~2%。目前，DDR4和512Gb TLC NAND Flash Wafer等指标性产品价格已跌回2023年第4季起涨点。

　　为应对终端需求疲弱和供给过剩，存储器原厂自2024年下半年起实施转产或减产。然而，2025年第1季传统淡季需求冷清，供过于求局面难改。HBM成长动能成为DRAM大厂竞争的关键。

　　DDR5价格曾受DRAM厂调整产能及提高HBM供给影响而上涨，但随市况转淡，价格回落至4.6~4.8美元。

　　DDR4价格虽从2023年第4季开始缓步调涨，但受中国存储器业者价格跳水及二手拆板货流通影响，2025年1月现货价格跌至3.11美元，跌幅约2.5%。NAND Flash Wafer价格也普遍跌回2023年第4季水准。

　　中国存储器产业影响力快速提升，长鑫存储虽面临技术瓶颈和美国法规挑战，但正快速缩短与国际大厂差距。

　　DRAM大厂在HBM发展上取得先机。美光已抢占HBM市场，并计划在新加坡建设新的HBM先进封装设施。随着HBM出货量超出预期，美光正积极开发新一代的HBM4，预计2026年进入大规模量产。