长鑫存储在DRAM领域的快速崛起让韩国业界感到危机。然而,随着美国对中国的半导体制裁升级,长鑫存储的扩产计划受到拖累,意外地为韩国企业减轻了市场压力。
据韩媒报道,受美国半导体设备出口管制影响,长鑫存储2026年的产能及供应位元成长预测被下调。
尽管长鑫存储已提前采购设备,2025年产能计划不受太大影响,但从2025年第四季起,良率可能下滑,产能扩张将放缓。
全球DRAM市场主要由三星、SK海力士和美光三大厂主导,长鑫存储虽位居第四,但发展潜力巨大。长鑫存储依靠政府的补贴和低价策略,成功扩大了市场影响力。
然而,随着美国对中国半导体的设备管制升温,长鑫存储对韩国存储器业者的威胁降低,成长速度放缓。
应用材料公司发布的财报显示,由于美国对中国出口管制渐趋严格,预计来自中国的营收占比将减少。同时,美系设备供应商的技术人员已从长鑫存储工厂撤离,显示美国政府强化管制的影响。
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