SK海力士HBM4信心满满，1c DRAM量产在即

　　SK海力士2024年营业利益创新高，有望超越三星电子，其高带宽存储器（HBM）市场表现尤为亮眼。SK海力士正稳定量产供应HBM3E，并预计2025年HBM营收将再增100%以上。

　　
同时，SK海力士已开始与部分客户商讨2026年的HBM供应，以维持签订长期合约的供应结构。

　　
为应对市场竞争，SK海力士正采用第五代10纳米级DRAM开发HBM4，并计划于2025年内量产12层HBM4，2026年下半年量产16层HBM4。

　　
此外，SK海力士与台积电合作，强化HBM4效能和电力特性。有消息称，SK海力士HBM4的基础裸晶可能采用3纳米制程。

　　
在DRAM技术方面，SK海力士领先三星，已于2024年下半年完成1c纳米产品研发并确保量产。部分基于1c纳米的DDR5产品效能提升28%，功耗效率改善9%以上。SK海力士计划将1c纳米制程应用于HBM4E产品，以维持市场领先地位。

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