三星电子据传正在加速开发1c DRAM,以期在HBM4上实现翻盘。针对此前HBM失去主导地位的困境,三星决定跳过1b DRAM,全力投入1c DRAM的研发。
据韩媒报道,三星已重新设计第四代1a DRAM,并正考虑对10纳米级1c DRAM进行再设计,以提高良率。此前,三星在技术开发上取得了突破,但良率未达预期,导致开发目标延期。
为了提升HBM竞争力,三星计划将1c DRAM用于2025年下半年量产的HBM4。而竞争对手SK海力士则计划在HBM4中使用1b DRAM,从HBM4E开始才使用1c DRAM。
对于三星而言,率先将1c DRAM用于HBM4是一场关键战役。此前,重要客户NVIDIA曾对三星HBM设计提出质疑,认为需要重新设计。而三星半导体暨装置解决方案部门负责人也表示正在重新审视DRAM设计。
尽管三星方面表示无法确认任何特定产品的开发信息,但韩国业界认为,如果三星仅对1c DRAM的问题部分进行再设计,仍可按原计划推进,预计良率问题将很快解决。
若一切顺利,三星有望在2025年上半年完成1c DRAM开发,下半年将其用于HBM4量产。
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