据传，三星电子半导体暨装置解决方案部门负责人全永铉日前亲赴美国NVIDIA总部，与CEO黄仁勋会面。市场推测，此次会面或与三星供应第五代高带宽存储器HBM3E有关，三星或即将通过NVIDIA品质认证。
韩媒报道指出，全永铉此行携带了用于HBM的改良型1b DRAM样品，讨论议题不仅限于8层HBM3E产品改善进度。三星方面对传闻未予证实，但承认HBM3E初期效能略逊，并持续进行设计改良。
HBM3E是三星进入NVIDIA供应链的关键，业界认为其通过认证将对三星具有重要意义。然而，竞争对手SK海力士和美光已量产8层甚至12层HBM3E产品，并对NVIDIA供货，给三星带来不小压力。
尽管三星计划从2025年第1季末开始量产供应部分客户，但赶上竞争对手仍需时日。特别是美光透露其12层HBM3E产品耗电量更少、容量更大，预计2025年下半年大量生产，对三星构成更大挑战。
此外，有消息称NVIDIA曾要求三星改良1b DRAM设计，以提高良率。虽然三星曾否认将变更设计，但根据NVIDIA要求，或仍将改进1b DRAM以通过品质认证。
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