美光推 1γ 工艺 16Gb DDR5 芯片

　　美光发布采用全新 1γ（1-gamma）制造工艺的 16Gb DDR5 设备，该工艺运用 EUV 光刻技术，为首创之举。新芯片不仅性能超越前代，功耗更低，制造成本也有所下降。美光还称，1γ 制造技术（第 6 代 10nm 级节点）未来将用于其他 DRAM 产品。

　　美光 1γ 主打产品为 16Gb（2GB）DDR5 IC，额定数据传输率 9200 MT/s，行业标准电压 1.1V。与前代 1β 工艺制造的 16Gb DDR5 IC 相比，新器件功耗降低 20%，位密度提高 30%。当新芯片产量与 1β 16Gb DRAM 器件产量相当，生产成本也可能降低。

　　美光将最新 16Gb DDR5 IC 速度定为 9200 MT/s，这一速度远超 DDR5 规范最新版本的任何速度等级。美光强调，芯片能以符合 JEDEC 速度等级运行，更高速度等级可提供未来适应性，实现与下一代 CPU 兼容。美光还表示，基于 CUDIMM 或 CXL 的内存模块可利用高于 JEDEC 的速度，发烧友的 DIMM 也可能将新 DRAM 用于 10,000 MT/s 后的模块。

　　目前，美光正向笔记本电脑和服务器制造商提供基于 1γ 技术的 16Gb DDR5 IC 及其产品（芯片和模块）样品，预计一到两个季度内完成认证。这意味着 2025 年中期，零售产品中有望出现美光最新内存设备。美光预计，台式机、笔记本电脑和服务器的各类内存模块都将采用其新内存芯片。