英诺赛科1200V氮化镓产品量产

　　4月14日，英诺赛科发布了一则公告，宣布其自主研发的1200V氮化镓（GaN）产品已成功实现量产。据集邦化合物半导体报道，这款产品因具备宽禁带特性，在高压高频应用场景中表现出色，其零反向恢复电荷的核心优势能够进一步提升能源转换系统的效率，并推动设备的小型化设计。

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