据韩媒报道，业界消息称，三星电子正在大力推进FinFET技术在其DRAM生产中的应用，以进一步提升芯片性能。这一举措预计将为未来的存储技术带来显著的进步。
DRAM的未来发展方向将是分开生产存储单元芯片和外围/核心芯片，并通过堆叠方式结合。FinFET技术将专门用于优化外围和核心芯片，提升这些部分的驱动电路性能，而存储单元则依旧采用垂直沟道晶体管（VCT）或埋入沟道阵列晶体管（BCAT）技术。
FinFET是一种针对逻辑芯片的先进晶体管技术，具有比传统平面型晶体管更大的接触面积，能够显著提高半导体性能，并减少漏电流。三星目前已经在14nm及以下制程中广泛应用这一技术。而在未来的DRAM生产中，FinFET预计将在外围和核心芯片上实现突破，提升整合度和效率，预计可大幅提升存储单元阵列效率，进而推动LPDDR5X等产品的技术升级。
不仅三星，SK海力士也在布局FinFET技术，并已在招聘具有相关经验的工人，预示着这一技术在DRAM产业的广泛应用即将到来。
尽管目前FinFET在DRAM量产中的应用时间尚不确定，但业内普遍预测，这一技术将在2027年迎来首次大规模应用。这无疑是半导体行业的一次重大革新，值得关注。
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