美国创企在CMOS晶圆工艺中实现石墨烯的晶圆级合成

　　美国初创公司Destination 2D在300毫米CMOS晶圆工艺中实现高质量石墨烯的晶圆级合成，其表示，这是主流半导体产品中的第一种二维（2D）材料。

　　传统大面积石墨烯合成需通过化学气相沉积（CVD），其高温超出了CMOS互连制造的热预算。Destination 2D采用压力辅助固相扩散技术，在CMOS兼容温度下直接在介电基底上合成多层石墨烯，实现了低电阻率、高可靠性的互连设计，并比铜互连节能高达80%。

　　Destination 2D的技术避免了石墨烯在CMOS应用中的热问题，无需将石墨烯从金属基板机械转移到介电基板。该公司的首席技术官Kaustav Banerjee教授及其团队实验验证了这一理论，并开创了相关技术。由Dave Silvetti领导的设备工程团队正在将前沿的CMOS工艺技术设备设计投入大规模生产，首先推出的是CoolC GT300，实现了Destination 2D的专有石墨烯合成工艺。

　　“Destination 2D使用与BEOL兼容的低温无转移工艺实现的晶圆级石墨烯覆盖，标志着CMOS行业的一个重要里程碑，”Destination 2D的首席执行官Ravi Iyengar说，“Destination 2D的互连技术——当集成在逻辑和存储芯片中时——可能会深刻地改变人工智能和其他计算密集型应用的前景。”