三星电子在HBM3、HBM3E市场竞争失利后，计划于2025年推出HBM4以扭转局势。据报道，三星已开始利用自家4纳米晶圆代工制程初步生产HBM4所需的逻辑裸晶。
与HBM3E相比，HBM4的逻辑裸晶需使用晶圆代工制程，以满足客户的定制化需求。然而，发热问题是HBM4面临的最大挑战之一，三星计划通过4纳米制程优化效能并降低功耗。
业内人士指出，三星存储器事业部在技术上已不如以往领先，但依托晶圆代工制程，三星有望加速生产逻辑裸晶，以满足客户需求。
与此同时，SK海力士虽不具备自主代工能力，但与台积电合作，可能采用3纳米制程应对客户需求。SK海力士预计将于2025年下半年量产HBM4，并引领定制化HBM市场。
尽管如此，三星HBM4在晶圆代工制程上发展迅速，为了赶超竞争对手并应对客户测试及改善要求，三星正在加快生产进度。
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