美光科技加速HBM4布局，2026年量产在即

　　美光科技以其动态随机存取存储器（DRAM）的卓越制造实力脱颖而出，尤其在中国台湾，其DRAM产品的生产占比高达60%。近期，美光在记者会上透露了一系列重要信息，预示着公司在高频宽存储器（HBM）领域的雄心壮志。

　　美光正全力扩大HBM 3E的产能，并计划在台中厂启动最先进的1 gamma制程（约相当于10纳米）存储器芯片量产。这一举措被视为美光为HBM4的推出所做的充分准备。据美光高层透露，HBM4预计将于2026年正式量产。考虑到美光在台湾和日本拥有强大的芯片制造基地，以及台湾的后端封装测试能力，HBM4的量产之路将更为顺畅。

　　在台湾的最新工厂规划方面，美光去年底从友达光电收购的两座南科工厂正在紧锣密鼓地增设无尘室等设备，预计今年上半年即可启用并投入前端存储器芯片测试。此外，美光桃园厂也在积极引入新工艺，并建设两栋新大楼。如果产能允许，甚至可能引入极紫外光刻（EUV）设备，进一步提升制造能力。台中HBM制造和封装测试厂区同样在不断扩大规模，自2023年开设新封装测试四厂以来，去年又新增了两座新办公室。

　　从美光此前的财报会议中，我们可以窥见HBM的强劲增长势头。HBM的季度销售额增长超过1倍，预计2025年将为公司带来数十亿美元的收入。更令人瞩目的是，2025年的HBM产能已经全部售罄，价格也已确定。美光的数据中心业务同样表现出色，约13%的收入来自这一领域。第一季度数据中心的收入同比增长400%，环比增长40%，创历史新高。数据中心的营收占比也首次突破50%，成为美光的重要收入来源。