旺宏与TSRI合作研发3D DRAM，或成新一代HBM

　　近日，旺宏电子与中国台湾半导体研究中心（TSRI）共同发布了新型高密度、高带宽3D DRAM技术。该技术不使用传统电容，以2颗IGZO晶体管串联存储信号，具有体积小、高带宽、能耗低、耐用度高等优势。

　　半导体中心指出，这种无电容设计使存储器尺寸更小，3D堆叠更紧密，同时消除了电容导致的读写速度慢和耗能高的问题。使用宽能隙半导体材料还可延长数据保存时间，未来有望成为新一代HBM。

　　面对中国大陆DeepSeek的挑战，半导体中心表示，芯片市场依然真实且前景广阔。台积电董事长魏哲家和NVIDIA CEO黄仁勋均对AI芯片市场持乐观态度，认为这将推升HBM需求。

　　旺宏电子资深处长谢光宇表示，该技术是全新结构，未来量产需考虑市场和应用环境，但在技术上已具备可行性。此次合作标志着旺宏在3D DRAM领域已占据一席之地。

　　此外，半导体中心还指出，AI芯片需要高速、高密度、低耗能的HBM来满足大数据运算需求。现有DRAM受封装技术限制，带宽受限且耗能高，因此研发新型HBM具有重要意义。

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