3月14日，2025英飞凌消费、计算与通讯创新大会（ICIC 2025）在深圳盛大召开，汇聚600余位业界精英，聚焦AI、机器人、边缘计算及氮化镓应用等热门议题。
会上，英飞凌首次在国内展示了两项突破性技术——300mm氮化镓功率半导体晶圆和20μm超薄硅功率晶圆，彰显了其在技术创新领域的领军地位。
英飞凌科技全球高级副总裁潘大伟表示，值此英飞凌在华30周年之际，公司将深入推进本土化战略，围绕“运营、创新、生产、生态”四大方面，持续为客户创造价值，推动业务稳健发展。
他系统介绍了英飞凌在机器人、AI数据中心和边缘计算等领域的市场策略及优势，表示将以这些市场为主要驱动力，依托领先的半导体技术和本土应用创新生态，赋能客户价值创造，推动应用场景落地，引领行业创新发展。
会上，英飞凌还全面解析了四款重磅新品，包括PSOC™ Control C3 MCU、新一代中压CoolGaN™半导体器件、CoolMOS™ 8高压超结（SJ）MOSFET以及XDP™数字电源。
这些新品在性能、效率、可靠性等方面均表现出色，将为各行业提供更为环保、高效、智能的解决方案。
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