铭镓半导体全球首制4英寸氧化镓晶坯

　　北京铭镓半导体有限公司成功制备出全球首个4英寸氧化镓晶坯，直径达4英寸、厚度55毫米，加工后可用尺寸为3英寸、厚度40毫米。这一技术突破不仅优化了晶体生长环境，还有望制备出更厚晶坯，推动行业发展。

　　氧化镓作为第四代半导体材料，成本仅为第三代半导体材料碳化硅的三分之一，其基功率器件具备高耐压、低损耗等特点。在新能源汽车等领域，使用氧化镓器件的汽车一次充电续航里程可提升10%至20%。

　　此次技术突破将促进氧化镓的产业化商用，加速其在各领域的应用，降低生产成本，提高生产效率。这一成果不仅展现了铭镓半导体的技术实力，也为半导体材料行业的发展注入了新的活力。

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