据报道称台积电考虑进一步扩大产能

　　台积电还必须披露其N2(2 nm)制造工艺的细节，但是显然，全球最大的半导体合同制造商对这一节点的需求充满信心，以至于它已经在考虑建造一个额外的晶圆厂来满足该要求。给公司董事长此外，据报道，台积电计划建造两个用于先进芯片封装的工厂。

　　台积电的N2：计划一个晶圆厂，考虑另一个

　　正式而言，台积电的N2工艺仍处于寻路和研究模式，因为代工厂正在研究材料以及可行的晶体管结构。制造商在上个月的技术研讨会上透露，台积电(TSMC)的N2开发和初始生产的所在地将是该公司在台湾新竹县宝山附近的生产基地。目前，台积电正在完成其新的R1研发设施的建设，该设施最初将专注于N2，并将于明年开始运营。台积电的首批2nm芯片将在一个新的晶圆厂中生产，该晶圆厂将分四个阶段进行。目前，该公司正在为晶圆厂收购土地，因此几乎没有台积电愿意公开披露的设施时间表。如果新的晶圆厂N2宝山附近提供的容量是不足以满足需求，那么台积电将在其位于台湾台中网站建一个领先的生产设备，台积电董事长马克·刘说，报告DigiTimes的。

　　场效应管

　　人们普遍认为，台积电将为其N2工艺节点采用全栅(GAAFET)晶体管结构(即纳米线，纳米带等)。该公司已经对GAAFET进行了15年的研究，最近展示了一个工作于0.46V的32Mb纳米片SRAM原型，因此GAA是最有可能用于N2的晶体管技术。